突破EUV限制?3纳米芯片制造新关键设备或将诞生

来源:时代一线 分类:科技
突破EUV限制?3纳米芯片制造新关键设备或将诞生

芯片制造流程里头,光刻机算是关键中的关键。

特别是EUV光刻机,是造7纳米以下芯片的重器,而且全球仅ASML有,美国还不让ASML卖给咱们,所以它的分量多重不言而喻。

咱们没EUV光刻机,想进7纳米以下就困难极大,虽然咱们在不断突破,可即便用了多重曝光技术,实现了7纳米、5纳米,率良率和成本也没优势。

不过,芯片发展到3纳米、2纳米节点,物理极限和经济极限一块儿来了,晶体管微缩的路已经走到头了,芯片发展得开始进入新阶段。

这个新阶段,就是3D技术,不管是堆叠还是3D封装都行,核心思路是尽量把原先平面的芯片做成立体的,不用老微缩晶体管,也能提升性能。

进入3D技术后,最核心的机器,可能光刻机就不再是唯一的重点了。

这里面有两台比较重要的设备,一个是刻蚀机,一个是混合键合机。刻蚀机主要用在芯片制造过程中,混合键合机则主要用于封装环节。

所以从前端来看,最关键的其实是刻蚀机。

刻蚀机和光刻机的作用,实际上是互相配合的,光刻机是把芯片电路图通过光线刻到硅晶圆上,而刻蚀机是在刻好的硅晶圆上,把不需要的部分腐蚀掉,只留下需要的部分。

在芯片平面结构时,光刻机更重要,但在立体结构里,晶体管排列更复杂,刻蚀机发挥的作用就越来越大,已经超过了光刻机,可以说刻蚀才是决定芯片性能的关键工艺。

并且跟光刻机被卡脖子不一样,刻蚀机方面,咱们已经达到了世界顶尖水平。

国内刻蚀机最强的当属中微公司,中微公司现在已经进入了台积电的供应链,其工艺早就达到了3纳米水平,完全不输给全球顶尖厂商。

另外,中微公司的刻蚀机,实现了零部件的全部100%国产化,真正的独立自主,不依赖国外进口任何技术和元件,根本不用担心被卡脖子。

所以接下来,随着芯片不断发展,进入3D时代时,咱们的底气会越来越足,再加上华为的韬定律加持,中国芯片产业崛起,已经是势不可挡了。

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